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台湾力晶与旺宏结盟拼杀闪存市场
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台湾两家半导体厂商力晶（Powerchip）和旺宏（Macronix）近日宣布，将携手研发100纳米制造工艺，共同打拼闪存市场。
力晶半导体和旺宏电子公司上周五各自发表了声明。两家公司签署了为期五年的技术合作协议，作为合作的第一步，力晶和旺宏将携手研发100纳米半导体制造工艺。此外，旺宏电子还将把芯片制造业务外包给力晶，代工合同有效期为七年。
此外，力晶半导体还将花费53亿新台币（1.6亿美元）买下旺宏电子新建的一个芯片工厂“外壳”。旺宏电子几年前修建了这个工厂的厂房等建筑，但后来遭遇半导体低谷，这个工厂一直没有安装设备，成为一个空壳。未来，工厂将归于力晶半导体所有，力晶将购买设备用于闪存生产。
力晶半导体是台湾最大的DRAM内存厂商，不过，这次合作的目标是打拼闪存市场。力晶在声明中说：“闪存市场的需求增长已经超过了我们的生产能力，我们需要这个工厂来抓住商业机会。”
除了DRAM内存外，力晶半导体主要研发生产NOR闪存芯片。这种芯片的市场远远小于主流的NAND闪存，但随着全球手机销量的增长，对于NOR闪存的需求仍在扩大中。英特尔公司也是主要的NOR闪存厂家，但业界普遍认为已经和美光科技合资生产NAND闪存的英特尔公司将会剥离NOR闪存业务。MEMS传感器闭环检测电路研究设计--《西安电子科技大学》2010年硕士论文
MEMS传感器闭环检测电路研究设计
【摘要】：
高精度MEMS加速度传感器能够实现实时位移检测,在当今民用和军用系统如汽车电子、工业控制、消费电子、卫星火箭和导弹等中间具有广泛的需求。在高精度MEMS加速度传感器中,特别需要稳定的低噪声高灵敏度弱信号检测电路,其性能的好坏直接关系到MEMS加速度传感器系统性能的优良。
本文在充分研究国内外研究发展状况并结合国内实际生产条件的基础上,设计了MEMS电容式加速度传感器闭环检测电路,且完成了系统的版图设计。
本文中所做的主要工作如下:
首先简单回顾了MEMS技术、MEMS电容式加速度传感器及其弱信号检测电路的发展历史,并对其发展现状和趋势做了一定的了解。这样便于对弱信号检测电路的各种性能作出合理的改进,以适应MEMS电容式加速度传感器弱信号闭环检测系统的发展要求。
其次在详细对两种不同的MEMS电容式加速度传感器进行分析和对各种不同的弱信号检测电路结构及其各自优缺点进行比较的基础上,通过讨论开环闭环检测方式的优缺点,确定了本课题的研究方案。
然后根据系统功能要求,设计了应用于变间隙MEMS电容式加速度传感器的闭环弱信号检测系统及模块电路,包括前置放大器、滤波电路、比例放大电路、带隙基准、时钟振荡器和数字控制电路等,并利用Cadance软件对系统和模块电路分别进行了仿真分析。仿真结果表明电路达到设计指标要求,电路可检测的电容范围为1pF～10pF,测量精度可达到0.1pF。
同时,为了提高电路性能,对MEMS加速度传感器和弱信号检测电路中的噪声进行了分析研究,并对噪声的抑制做了一定探讨。
最后基于中电24所MC3010混合CMOS工艺设计了系统电路版图,并通过了DRC、LVS物理验证。
【关键词】：
【学位授予单位】：西安电子科技大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2010【分类号】：TP212.12【目录】：
Abstract4-7
第一章 绪论7-15
1.1 MEMS概述7-9
1.1.1 概述7-9
1.1.2 MEMS应用领域9
1.2 MEMS加速度传感器9-12
1.2.1 MEMS加速度传感器分类10-11
1.2.2 MEMS电容式加速度传感器11
1.2.3 国内外研究发展现况[21-22]11-12
1.3 MEMS电容式加速度传感器检测电路12-13
1.4 本论文研究的重要意义以及主要内容13-15
1.4.1 论文研究意义13
1.4.2 论文主要研究内容13-14
1.4.3 论文内容安排14-15
第二章 MEMS电容式加速度传感器测控原理研究分析15-25
2.1 MEMS电容式加速度计原理15-19
2.1.1 变面积MEMS电容式加速度计原理15-17
2.1.2 变间隙MEMS电容式加速度计原理17-19
2.2 MEMS电容式加速度计弱信号检测系统[32]19-20
2.3 MEMS弱信号检测电路基本要求及实现方案20-23
2.3.1 弱信号检测电路基本要求20
2.3.2 微小电容信号检测方法20-23
2.4 小结23-25
第三章 闭环检测系统设计及其电路设计25-53
3.1 闭环检测系统原理设计25-27
3.2 静电力反馈机制分析设计27-30
3.2.1 平板电容静电力原理27-28
3.2.2 静电力反馈分析28-30
3.2.3 反馈电压设计30
3.3 电路模块设计30-49
3.3.1 前置放大器设计30-34
3.3.2 滤波电路设计34-36
3.3.3 同相比例运算电路设计36-37
3.3.4 运算放大器设计37-41
3.3.5 带隙基准设计41-44
3.3.6 时钟振荡器设计44-46
3.3.7 数字控制电路设计46-49
3.4 电路系统功能仿真验证49-51
3.5 小结51-53
第四章 噪声分析及噪声抑制53-61
4.1 MEMS机械噪声及其抑制53-54
4.2 检测电路噪声及其抑制54-60
4.2.1 热噪声54-55
4.2.2 闪烁噪声55
4.2.3 KT/C噪声55-56
4.2.4 开关噪声56-60
4.3 小结60-61
第五章 检测电路版图设计61-71
5.1 CMOS工艺流程和版图层次61
5.2 元器件结构及版图设计61-66
5.2.1 设计规则61-62
5.2.2 元器件结构和版图设计62-66
5.3 整体版图设计66-68
5.3.1 布局66-67
5.3.2 布线67
5.3.3 技术难点以及解决措施67-68
5.4 物理验证68-69
5.4.1 DRC验证68-69
5.4.2 LVS验证69
5.5 小结69-71
第六章 结论与展望71-73
6.1 论文总结71-72
6.2 设计展望72-73
参考文献75-79
研究成果79-80
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【参考文献】
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意法半导体大中国区模拟及传感器事业部技术市场经理
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京公网安备75号锁相环的综合设计--《北京交通大学》2016年硕士论文
锁相环的综合设计
【摘要】：锁相环的设计是现代集成电路设计中的重要课题,在射频无线通信、高速有线通信、光纤通信以及高性能数字电路等领域中都占有重要地位。在任何无线接收发射器中都可以找到锁相环电路的身影。从锁相环问世到现在,该技术广泛应用在通信、雷达、电子对抗、遥控、广播电视等领域,此外,锁相技术还应用在电力、水文地质、自动化生产、机械加工等工业生产领域。锁相环主要由四部分组成,分别是鉴相器(PD),环路滤波器(LPF)、压控振荡器(VCO)、分频器(FD)。它是一种自动调节系统,检测两信号的相位差,可以用于频率合成、时钟恢复以及时钟产生等。在设计中,鉴相器为一种采样鉴相器,振荡器是由三级反相延时单元组成的环形振荡器,用无源二阶低通滤波器作为环路滤波器。采用Cadence软件来设计各部分电路,进行前仿真,完成版图设计。通过设计规则检测(DRC)、版图和电路比较(LVS)及寄生参数提取(RCX),进行后仿真,最后比较前后仿真的结果,对电路作出相应改进,得到满意的结果,完成锁相环电路的设计。在本文中,锁相环采用SMIC0.18μm CMOS混合信号工艺库设计各部分电路的原理图及版图,工作电压为1.8V。仿真的结果表明该锁相环的功耗约为30mW, VCO的输出频率约为0.8GHz-1.2GHz,在1GHz处的锁定时间约为12μs。
【关键词】：
【学位授予单位】：北京交通大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2016【分类号】：TN911.8【目录】：
致谢5-6摘要6-7ABSTRACT7-101 引言10-14 1.1 研究课题的背景10 1.2 国内外研究现状10-12 1.3 研究目的及意义12 1.4 研究内容、方法及具体工作12-142 锁相环的分类及其应用14-21 2.1 锁相环的类型14-17
2.1.1 模拟锁相环14
2.1.2 混合锁相环14-15
2.1.3 数字锁相环15-16
2.1.4 软件锁相环16-17 2.2 锁相环的应用17-21
2.2.1 频率合成器17-18
2.2.2 时钟恢复18-19
2.2.3 时钟产生19-20
2.2.4 抑制时钟歪斜20-213 锁相环的原理21-37 3.1 锁相环的基本结构及其工作状态21-23
3.1.1 锁相环的基本结构21
3.1.2 锁相环的工作状态21-23 3.2 鉴相器23-26 3.3 环路滤波器26-29 3.4 压控振荡器29-33
3.4.1 电感电容压控振荡器29-31
3.4.2 环形压控振荡器31-33 3.5 分频器33-34 3.6 锁相环环路的分析34-37
3.6.1 锁相环环路的跟踪34-35
3.6.2 锁相环的捕获性能35-36
3.6.3 锁相环的噪声36-374 锁相环的综合设计及仿真37-53 4.1 锁相环的电路设计37-48
4.1.1 鉴相器和电荷泵的设计37-42
4.1.2 环路滤波器的设计42-43
4.1.3 分频器的设计43-46
4.1.4 压控振荡器设计46-48 4.2 锁相环版图设计及后仿48-53
4.2.1 锁相环的版图设计50-52
4.2.2 锁相环的后仿真52-535 结论53-55参考文献55-58作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果58-60学位论文数据集60
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公司简介：
旺宏微电子（苏州）有限公司于2005年9月在苏州工业园区注册成立。公司以&旺宏集团大陆研发中心与运营总部&定位。每年从各著名重点高校吸收拔尖生，目前，公司大专学历以上员工占员工总数的98.6%，工程技术人员占比82.9%，其中研发团队工程师中超过85%拥有硕士、博士学历。
母公司旺宏电子为全球最大的只读存储器生产制造公司，提供跨越广泛规格及密度的ROM只读存储器及NOR型闪存产品，以提供客户在嵌入式系统，消费性及企业应用上拥有最佳的解决方案。旺宏电子成立于1989年，总部位于台湾新竹科学园区。1995年在台湾首次上市。旺宏拥有一座6吋晶圆厂，一座8吋晶圆厂、一座12吋晶圆厂及一座测试封装厂。是少数拥有具备IC设计、生产制造及销售能力的整合组件制造公司。目前员工人数约 4,800人。2013营收US$ 740 million。
旺宏电子的经营理念为「实在」。「创新」、「品质」、「效率」、「服务」、「团队」则是旺宏电子不断坚持的企业价值。
公司以优厚多元的薪资福利措施、人性化的公司制度、顶级的办公场所构建一个愉快的工作环境。期使同仁能在工作上找到乐趣与价值感，增强自信心，以提升工作和生活的成就感与满意度。
欢迎您加入旺宏！与我们共同推动闪存的先驱发展！&
应聘方式：
招聘信箱:.cn (简历请发送至此信箱)
特别说明：
简历中请注明奖学金获得情况、班级排名、专业排名；
地址：苏州工业园区苏虹西路55号
传真：86-512-