2010高等数学复习题之六_百度文库
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2010高等数学复习题之六
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1.B.k≥1.C.k三、计算下列各题(本题共4小题,每小题8分,共32分):1.计算?20cosπxdxx2.求dxdyyxsin224yx2222+" />
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2 (5).若正项级数 ∑∞
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三、计算下列各题(本题共4小题,每小题8分,共32分):
cos πxdx x
2. 求dxdy y x sin 224y x 2222+??π≤+≤π
z z x ln =,求y z x z ????, 4.判定级数∑∞=1
n n 的敛散性. .
四、应用题(本题共2小题,每小题9分,共18分):
= -x 2与直线y=2x 所围图形的面积及该图形绕x 轴旋转所得旋转体的体积。
某企业生产某产品的产量4143100),(y x y x Q =,其中x 为劳动力人数,y 为设备台数,该企业投入5000万元生产该产品,设招聘一个劳动力需要15万元,购买一台设备需要25万元,问该企业应招聘几个劳动力和购买几台设备时,使得产量达到最高?
五、证明题(本题5分)
设),(yz xy F u =,其中F 可微,证明y
u y z u z x u x
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2017年中国半导体设备行业发展现状及未来发展前景分析【图】
& & 半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。& & IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。 目前的集成电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片， IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。集成电路生产流程 数据来源：公开资料整理& & 1.IC设计： 是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。& & 2.IC制造： 制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-&多晶硅制造-&拉晶-&切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、 CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。 i.镀膜工艺： 通过PECVD、 LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电； ii.光刻工艺： 通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强； iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离； iv.离子注入： 通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。& & 3.IC测封： 封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。集成电路核心工艺对应设备 数据来源：公开资料整理& & IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、 镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。& & 1.晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。 将原料放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为电子级硅。 然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。 即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料&&硅晶圆片。&提拉法&晶柱制造过程 数据来源：公开资料整理& & 在泛半导体行业， 国内厂商已接近国外先进水平。 半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业， 单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大， 单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60~150kg，尺寸一般在6~8英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVA TePla AG公司， 美国的Kayex公司等。 目前， 以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平， 并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。 未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。泛半导体行业单晶硅生长炉主要厂商
　- 厂商 型号 投料量 尺寸 研发阶段
国外 PVA TePla EKZ3500 200kg 12 英寸 &量产
Kayex Vision300 300kg 12-16 英寸 &量产
Ferrotec FT-CZ2408BZ &150kg 8 英寸 &量产
国内 晶盛机电 TDR130A-ZJS 300kg 12-16 英寸 小批量生产
&G 商业机型 　- 18 英寸 &研发验收
京运通 &JD-1100 &170kg 10 英寸 &研发升级
天龙光电 DRF-95B 150kg 8-10 英寸 量产
七星电子 HG9001 &90kg 6-8 英寸 量产 数据来源：公开资料整理& & 2.光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。光刻工艺过程示意图 数据来源：公开资料整理& & 光刻工艺价值巨大， ASML独领风骚。 即使是微米级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占40%-60%。而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。 极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。 因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。 虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。光刻机各龙头企业市场份额
数据来源：公开资料整理ASML光刻机设备 数据来源：公开资料整理& & 3.刻蚀工艺： 按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。 在刻蚀设备领域，美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。 中微半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产， 目前已经进入台积电的5个半导体生产线， 7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。 随着中微的崛起， 2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告， 承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力， 且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。刻蚀设备主要生产厂商
国内产商 国外厂商
中微半导体 泛林半导体
北方华创 应用材料
- 东京电子 数据来源：公开资料整理& & 4.离子注入工艺及设备： 是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。高温热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。 在离子注入机领域， 美国应用材料占据了70%以上的市场份额。离子注入机工作示意 数据来源：公开资料整理& & 5.成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。 CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜； MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是IC制造的一个基础工艺，加工难度较高。该环节设备投资占整体设备的14%-15%。在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。 美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在&02&专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线， 14nm设备正处于验证阶段。PECVD工作原理 数据来源：公开资料整理& & 总结：半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。 我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。工艺主要设备对应龙头厂商总结
阶段 设备种类 龙头企业
晶圆制造 单晶炉 Kayex、 PVA TePla
扩散炉 Tempress Systems、 Centrotherm Photovoltaics AG
晶圆加工 热处理设备 &应用材料、东京电子、日立国际电气
光刻机& ASML、 Nikon、 Canon
光刻涂胶机 东京电子、 Screen Semiconductor Solutions
镀膜设备 &应用材料、 网屏、英国 SPTS、德国 Aixtron
刻蚀设备 泛林半导体、应用材料、东京电子
离子注入机 &应用材料、 Axcelis Technologies
清洗机 &泛林半导体、日本 DNS
封装 键合机& Murata Machinery、 Daifuku、应用材料
塑封机 Murata Machinery、 Daifuku、应用材料
净化 超纯系统 Kinetic Systems、日本森松
检测 分选机 Teradyne、Advantest、Cohu
测试机 Teradyne、Advantest、Agilent、Epson 数据来源：公开资料整理& & 半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例， 8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因此当半导体行业进入12英寸时代后， 8英寸产品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。半导体设备上下游 数据来源：公开资料整理& & 总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。 设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。 2008、 2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%， 2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备销售， 2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。分产品来看， SEMI预计2017年晶圆加工设备达到398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。 分地区来看，全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区， 2016年占比分别为16%、 11%、 19%、 11%和30%。中国大陆在05年仅占4%，近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。 2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元，同比增长32%，并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。同时， SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元，超过台湾成为全球第一大市场。全球各地区半导体设备销售额（十亿美元） 数据来源：公开资料整理2016年各地区半导体设备销售额占比 数据来源：公开资料整理& & 晶圆产能集中度提高， 12英寸是当前主流。 遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来12英寸产能预计会继续扩张。集成电路特征尺寸技术节点的变化 数据来源：公开资料整理& & 但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元，几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒，领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。全球晶圆产能（等效8英寸，百万片） 数据来源：公开资料整理晶圆产能集中度 数据来源：公开资料整理& & 中国晶圆厂建设加速。预估在年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计， 2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条， 8英寸晶圆生产线共有16条， 6英寸晶圆生产线共有40条， 5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。 SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU， 2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3D NAND Flash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。中国已量产的12英寸晶圆厂（截止2017年10月）
公司 地点 编号 生产项目 技术节点 投资金额（亿） 月产能（K）
中芯国际 上海 &Fab8 逻辑晶片 90-28nm CMOS 30 15
北京 Fab4 &逻辑晶片 90-65nm CMOS 29 36
北京 &Fab6 高通芯片 &65-28nm CMOS 236 35
武汉新芯 &武汉 Fab1 &3D NAND Flash 90-65nm CMOS 100 10
三星 西安 &Fab1 一期 3D NAND Flash 20-10nm 461 100
华力微电子 上海 Fab1 逻辑芯片 90-40nm CMOS 145 35
SK 海力士 无锡 HC1 存储器 90-40nm DRAM 49 68
无锡 HC2 存储器 45-25nm NAND Flash 132 100
Intel 大连 Fab68 计算机套片 65-40nm 362 30 数据来源：公开资料整理& & 在政策和资本的双重驱动下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新一轮发展浪潮。 除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。目前兴建中技术水平最高的厂商依然是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖28-14nm，并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2018年正式投产。而作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12英寸晶圆厂，这也意味着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线，原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第二座12英寸晶圆3D NAND Flash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。叠加现有产能，则未来中国12英寸晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导体设备的需求。& & 从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸产线的同时， 8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主要是中芯国际（天津） Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条，其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。& & 中国晶圆厂投资迎来爆发期。 我们统计了国内所有8英寸及12英寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看， 年是晶圆厂投资的高峰期。这四年内，将有20条产线12英寸晶圆产线实现量产，其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三星、美国AOS、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、福建晋华、德克玛、 SK海力士各一条，合计投资金额约6827亿元（去除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向，项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相比目前的量产规模增长65%，新增投资247亿元。我国8英寸和12英寸晶圆厂投资情况 数据来源：公开资料整理& & 来国内半导体设备市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆厂投资数据。在过去的十年中，全球半导体设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为67%，即一条晶圆产线的全部资本投资中， 2/3的资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、材料等费用。我们以一条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于设备支出，主要的设备包括以下几种： i.光刻机：最高端的ASML光刻机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可； ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美元左右。 iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-300万美元。 iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万美元，其中前道工序需要50台，而后道工序则需要上百台。约70%的市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和10%。由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复， 对于设备稳定性和精度的要求极高，这部分设备价值体量也最高，其中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总投资的20%、 15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿-1210亿元不等，我们预计2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切入该领域。后道的封装测试环节技术难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树， 2017年测试设备市场规模有望达到59亿元。半导体设备构成比例 数据来源：公开资料整理中国半导体设备投资分年度测算（亿元）
年度 2016 2017E 2018E 2019E 2020E
晶圆厂投资金额 338.4 878.85 1,680.81 1,815.90 1,679.98
同比 79% 160% 91% 8% -7%
半导体设备投资额（亿元），假设占总投资比例的 66.67%
全球半导体设备资本支出 设备/资本支出 225.6 585.9 1,120.54 1,210.60 1,119.99
晶圆制造， 假设占总体设备投资的 70% 157.92 410.13 784.38 847.42 783.99
光刻机 45.12 117.18 224.11 242.12 224
薄膜沉积 33.84 87.89 168.08 181.59 168
刻蚀设备 31.58 82.03 156.88 169.48 156.8
其他制造设备 47.38 123.04 235.31 254.23 235.2
封装及组装 33.84 87.89 168.08 181.59 168
测试 22.56 58.59 112.05 121.06 112
其他 11.28 29.3 56.03 60.53 56 数据来源：公开资料整理& & 持续的产能转移不仅带动了国内集成电路整体产业规模和技术水平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。& & 相关报告：智研咨询发布的《》
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