溅射镀膜种类及特点_百度文库
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溅射镀膜种类及特点
&&振华真空专业生产销售溅射及离子镀膜设备,蒸发及光学镀膜机。溅射镀膜有多种方式。按电极结构分类,可以分为直流二极溅射、直流三极溅射、直流四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、ECR溅射等。
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上海沃家真空设备科技有限公司
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上海沃家真空设备科技有限公司研发制造连续式磁控溅射镀膜生产线、平面弧工模具硬质涂层设备、多功能中频磁控溅射多弧复合离子镀膜机、中频磁控溅射镀膜机、多弧离子镀膜机、光学镀膜机等系列真空镀膜设备。产品广泛用于太阳能、半导体、Low-E玻璃、光电、平板显示、工模具、钟表五金、3C产品、塑料、陶瓷等。
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ILC系列连续式磁控溅射镀膜生产线
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ILC系列连续式磁控溅射镀膜生产线
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ILC系列连续式磁控溅射线主要用于压加力、、、手机壳、电脑、PC、PET等表面磁控溅射高质量、多功能金属膜、防干扰电磁屏蔽膜（EMI）、反应膜、复合膜、透明导电膜(ITO)、抗反射膜（AR）、增反射膜等。具有大吞吐量连续式磁控金属化生产，采用同行业最先进的生产工艺，极大地提高了膜层与工件的结合力、附着力。连续式自动生产线保证了产品的一致性与稳定性，全制程无废气、废水排放，产品符合欧洲环保法要求。 特点及基本参数 ●卧式线体结构，可实现单面同时镀膜●生产效率,最快速度达1分钟/节拍●模组化设计,维护方便●镀膜工艺成熟,成品率高●直流磁控溅射阴极可随客户要求选择●真空系统由机械泵、罗茨泵、扩散泵(分子泵)组成●线体尺寸可随客户要求定做
上海沃家真空设备科技有限公司是国内领先的真空镀膜工程集成供应商，紧紧围绕客户需求持续创新，为客户创造最大价值。我们对全球伙伴开放合作，在新能源新材料、建筑/汽车、精密制造、重工/军工等领域构建技术与服务优势。我们致力于为企业、科研院所、薄膜涂层加工中心等提供有竞争力的综合解决方案和服务。 本公司产品主要有：连续式磁控溅射镀膜生产线、平面弧工模具硬质涂层设备、多功能中频磁控溅射多弧复合离子镀膜机、中频磁控溅射镀膜机、多弧离子镀膜机、光学镀膜机等系列真空镀膜设备。产品广泛用于太阳能、半导体、Low-E玻璃、光电、平板显示、工模具、钟表五金、3C产品、塑料、陶瓷等。本公司拥有完善的研发体系、生产制造体系及客户服务体系，并聘请国内外多位知名专家。目前，产品遍布全国各地及海外，工艺应用于数百家客户。 公司是全体员工价值实现和价值提升的平台，致力于为客户提供最优质最环保的表面处理解决方案，进一步整合公司内外资源，加大研发投入，不断推出新技术、新产品，以满足国内外市场需求，创造最佳的社会、经济和环境效益。 联系人：林先生手机：
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增值电信业务经营许可证B2-溅射镀膜技术的种类及特点
溅射镀膜有多种方式。其中归纳起来，1～5是按电极结构分类，即根据电极结构、电极的相对位置及溅射镀膜的过程，可以分为直流二极溅射、直流三极溅射、直流四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、ECR溅射等。6～12是在这些基本溅射镀膜的基础上，为适应制作各种薄膜的要求所做的进一步改进。反应溅射就是在Ar中加人反应气体，如N2、O2、CH4、C2H2等，可制备靶材料的氮化物、氧化创、碳化物等化合物薄膜；偏压溅射就是在成膜的基板上施加几百伏的负偏压，可使膜层致密、改善膜层的性能；射频溅射是在射频电压作用下，利用电子和离子运动特征的不同，在靶的表面感应出负的直流脉冲，而产生溅射现象，能对绝缘体进行溅射镀膜。
溅射电源：DC 1～7kV 0.15～1.5mA/cm2，RF0.3～10kW 1～10W/cm2,
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33(10-2),
特点: 构造简单，在大面积的基板上可以制取均匀的薄膜，放电电流流随气压和电压的变化而变化。
图1 二极溅射原理图
三极溅射或四极溅射
溅射电源：DC 0～2kV RF O～1kW，
Ar气压／Pa(或Torr): 6.65 x 10-2～1.33 x 10-1 (5 x 10-4～1 x 10-3)
特点: 可实现低气压、低电医溅射，放电电流和轰击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。
图2 三极溅射或四极溅射原理图
磁控溅射(高速低温溅射)
溅射电源： 0.2～1kV（高速低温）3～30W/cm2
Ar气压／Pa(或Torr): 10～10-6 (约10-1～10-8)
特点: 在与靶表面平行的方向上施加磁场，利用电场和磁场相互垂直的磁控管原理减少电子对基的轰击(降低基板温度)，使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8μm/min时，温升为2℃／μm。CU的自溅射可在10-6Pa(10-8Pa)的低压下进行。
图3 磁控溅射(高速低温溅射)原理图
对向靶溅射
溅射电源：采用磁控靶Dc或RF 0.2～1kV 3～30W/cm2
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33 x 10-1～1.33 x 10-3(10-3～10-5)
特点: 两个靶对向布置，在直于靶的表面方向加上磁场，基板位于磁场之外。可以对磁性材料行高速低温溅射。
图4 对向靶溅射原理图
溅射电源：0～数千伏
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33 x 10-3(10-5)
特点: 采用ECR等离子体，可在高真空中进行各种溅射沉积。靶可以做得很小。
图5 ECR溅射原理图
溅射电源： FR0.3～10kV 0～5kV
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 开始是为了制取绝缘I体如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射镀制金属膜。靶表面加磁场可以进行磁控射频溅射。
图6 射频溅射原理图
溅射电源：在基片上施加0～500V范围内的相对于阳极的正的或负的电位
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 在镀膜过程中同时清除基板上轻质量的带电粒子，从而使基板中不含有不纯气体(如H20、N2等残留气体等）。
图7 偏压溅射原理图
非对称交流溅射
溅射电源： AC1～5KV 0.1～2mA/cm2
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 振幅大的半周期内靶进行溅射，在振幅小的半周期内对基板进行离子轰击，清除吸附的气体，从而获得高纯的薄膜。
图8 非对称交流溅射原理图
溅射电源：DC 1～5KV 0.15～1.5mA/cm2 RF0.3～10KW 1～１0W/cm2
Ar气压／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 利用吸气靶溅射粒子的吸气作用，除去不纯物的气体。能获得纯度高的薄膜。
图9 吸气溅射原理图
溅射电源：靶表面的磁通密度 50mT,7～10A ,φ100mm靶
Ar气压／Pa(或Torr):≈0（启动时1.33 x 10-1(10-3)）
特点: 溅射时不用氩气，沉积速率高(达数μm/min)，被溅射原子飞行轨迹呈束状(便于大深径比微细孔的埋入)，目前仅限于Cu、Ag的自溅射。
图10 自溅射原理图
溅射电源：DC 0.2～7KV RF0.3～10KW
Ar气压／Pa(或Torr): 在Ar中混入适量的活性气体，如N2、02等分别制取TiN AlO
特点: 制作阴极物质的化合物薄膜，例如，如果阴极（靶）是钛，可以制作1TiN.TiC。
从原理上讲，上述各种方案都可以进行反应溅射，当然9、10两种方案一般不用于反应溅射。
离子束溅射
溅射电源：出电压0.5～2.5kV，离子束流10～150mA
Ar气压／Pa(或Torr): 离子源系统10-2～102，溅射室3 x l0-3
特点: 在高真空下，利用离子束溅射镀膜，是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可，丕可以进行反应离子束溅射。
图11 离子束溅射原理图
磁控溅射是在二极溅射、三极溅射、射频溅射的基础上发展起来的新技术。由于磁控溅射可以在低温、低损伤的条件下实现高速沉积，故目前已成为工业化生产的主要方式。
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