4th Symposium on Fluid-Structure-Sound Interactions and Control
January 15, 2017
-Abstract deadline
March 1-6, 2017
-Notification of
-abstract acceptance
April 9, 2017
-Deadline of full-length
-manuscript submission
June 15, 2017
-Returning review comments
-of full-length paper to the
July 15, 2017
-Reversion of full-length
June 15, 2017
-Early Bird registration
Thank you to all the participants !
We hope to see you again for the 5th symposium on FSSIC.
About FSSIC2017&
Flow-induced structural-vibration and noise are encountered in a plethora
of engineering and naturally occurring systems. Their phenomenology entails
or combines aspects from the broad fields of Fluid Mechanics, Fluid-Structure
Interaction and Acoustics. Understanding, Controlling or exploiting such
phenomena is now enabled by rapidly developing techniques and technologies
such as signal processing, flow visualization and diagnostics, new functional
materials, and sensors and actuators.
The essential inter-disciplinary nature of Fluid-Structure-Sound Interactions and Control (FSSIC) provides a rich arena for discoveries and innovations that may range from fundamental insights in complex phenomena such as turbulence through to applied research that harnesses the multi-physics of an interactive system.
The 4th Symposium on Fluid-Structure-Sound Interactions and Control (FSSIC) will bring together researchers in the rapidly advancing Asia-Pacific region and will be held in Tokyo，Japan，from (Monday) 21th to (Thursday) 24th August. The meeting serves to provide a forum for academics, scientists and engineers working in all branches of FSSIC to exchange and share latest developments, ideas and advances, bringing them together, from both East and West, to push forward the frontiers of FSSIC.
The 4th Symposium on FSSIC follows on from the successful 3rd Symposium that was held in July 2015 at Curtin University, Perth-Western Australia and 2nd Symposium that was held in May 2013 at the Hong Kong Polytechnic University.
This conference is organized in participation with Harbin Institute of
Technology.
Symposium Topic&
The Symposium will be largely focused on advances in theory, experiments, and numerical simulations of fluid flow in the contexts of flow-induced vibration and noise and their control, including, but not limited to:
Fundamental problems of turbulent flows and aero-acoustics
Flow-induced vibration and noise
Aero/Hydro-elasticity
Active and passive control of turbulence, flow-induced vibration and/or
Applications related to the aerodynamics of road and aerospace vehicles,
marine and civil engineering, nuclear reactors and biomedical science
&Contact Us
FSSIC2017 Chair
Professor Motoaki Kimura
Office No.:+81-3-
FSSIC2017 Co-Chair
Professor Guoyi Peng
Office No.: +81-24-956-8766
FSSIC2017 Secretary
Associate Professor Kenji Kofu
Office No.:+81-3-《碳化硅（SiC）市场-2017版》
Silicon Carbide Market by Device (MOSFET, Diode, Module, Bare Die), Wafer Size (2 Inch, 4 Inch, 6–Inch and Above), Application (RF Device and Cellular Base Station, Power Supply and Inverter), Vertical, and Geography - Global Forecast to 2022
购买该报告请联系：
麦姆斯咨询 王懿
电子邮箱：（#换成@）
据麦姆斯咨询报道，预计到2022年，全球碳化硅（silicon carbide，以下简称SiC）市场规模将达到6.174亿美元，年期间的复合年增长率为17.4%。半导体SiC器件在高温、高电压环境下所展现出来的性能，电机驱动的需求增长，降低整体系统尺寸的能力，SiC在射频（radio frequency, RF）器件和蜂窝基站的应用有所增加等驱动因素，将在预测期内促进全球SiC市场获得增长。
纵观全球SiC主要垂直行业市场，电力电子垂直行业占据了2016年最大的市场份额。该市场增长的主要驱动因素是由于电源供应和逆变器应用越来越多地使用SiC器件。SiC分立器件将有望在预测期内占据最大的市场份额，对SiC分立器件的高需求主要归因于这些器件有着广泛的应用，包括射频和蜂窝基站应用，也包括电源供应和逆变器应用。
按器件细分，SiC二极管市场有望占据最大市场份额，预测期内的复合年增长率将稳健增长。该市场的增长主要归因于射频和蜂窝基站应用对SiC二极管的广泛使用。另一方面，由于SiC场效应晶体管（MOSFETs）和SiC二极管在各种应用中被使用用地越来越多，SiC模组将在预测期内实现最高复合年增长率。
按晶圆尺寸细分，预计年期间，6英寸及以上的SiC晶圆将有望达到最高复合年增长率。对6英寸及以上的SiC晶圆需求正在上升，因为与2英寸和4英寸的SiC晶圆相比，它们可以制造出更多器件。
就不同地理区域而言，亚太地区占据2016年最大的市场份额，在预测期内则将复合年增长率位居第二。亚太地区SiC市场的增长主要归因于对射频和蜂窝基站使用的增加，4G通信网络不断扩大，电源供应和逆变器应用。美洲地区占据2016年第二大的市场份额。美洲地区SiC市场的增长主要归因于部分主要SiC器件制造厂商的存在。世界其它地区的复合年增长率有望达到最高，世界其它地区的指数式增长也主要归因于蜂窝网络的扩展，增加对射频和蜂窝基站相关器件的使用。
2022年全球SiC市场（按地区细分）
由于SiC器件减少了系统尺寸和重量，以及车辆的整体重量，使得SiC器件越来越渗透进入电动汽车市场，预计电动汽车电机驱动应用将有望实现最高复合年增长率。
全球SiC市场上的主要厂商包括德国英飞凌（Infineon Technologies AG）、美国科锐（CREE Inc, Wolfspeed）、日本罗姆半导体（ROHM Semiconductor）、瑞士意法半导体（STMicroelectronics N.V.）、美国安森美半导体（ON Semiconductor）、美国United Silicon Carbide, Inc.、美国通用电气（General Electric）、美国GeneSiC Semiconductor Inc.、日本富士电机公司（Fuji Electric Co., Ltd.）、日本瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）。大多数在该市场处于领先地位的公司都遵循有机战略，通过新品发布提高公司营收。
本报告的研究范围：
按照器件细分：
- SiC分立器件
* SiC场效应晶体管
* SiC二极管
按照晶圆尺寸细分：
- 6英寸及以上
按照应用细分：
- 射频器件和蜂窝基站
- 电网设备
- 灵活交流输电系统（Flexible AC Transmission Systems, FACTS）
- 高压直流（High-Voltage, Direct Current,HVDC）
- 电源供应和逆变器
- 照明控制
- 工业电机驱动
- 火焰检测器
- 电动汽车电机驱动
- 电动汽车充电
- 电子战斗系统
按照垂直行业细分：
- 能源&电力
- 可再生能源发电
- 电力电子
按照地区细分：
- 北美地区
- 欧洲地区
- 亚太地区
- 世界其它地区
价格：单用户版：5650美元（可以支付人民币）
若需要《碳化硅（SiC）市场-2017版》报告样刊，请发E-mail：（#换成@）。
阅读更多MEMS行业资讯，请关注：
微信公众号：MEMS
新浪微博：麦姆斯咨询
微迷：http://www.MEMS.me
责任编辑：
声明：本文由入驻搜狐号的作者撰写，除搜狐官方账号外，观点仅代表作者本人，不代表搜狐立场。
专注MEMS市场调研探索，定期发布行业资讯报告，打造中国麦姆斯行业第一品牌网站
麦姆斯咨询：中国首家MEMS咨询服务平台
今日搜狐热点