基金001220的募集期限_百度知道
基金001220的募集期限
适合较积极的投资者）公开募集期限为日至日，中高风险，波动幅度较大民生加银研究精选混合基金（基金代码001220
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温度记录仪（声光报警）PN001220
品牌/型号：yacite
测量范围：-40℃～100℃ 测量精度：±0.5℃ 分 辨 率：0.1℃ 记录容量： 组记录间隔： 2秒～24小时连续可调 通讯接口： RS-232或USB 软 件： 中、英文两种版本机体积小，软件操作简单，性能可靠，记录时间间隔可根据需要从2秒至24小时任意设置，有延时启动、定时启动，定时关机等功能。 全程跟踪显示、记录被测环境中温度数据，记录时间长（15分钟记录一次数据，可记录长达5个月甚至更长的时间），数据记录在记录仪自带的存储片中，具有掉电保护功能（断电情况下数据还是保存在记录仪中） 带超限报警功能，设定报警温度后，记录仪会在超过这个报警温度时报警，提醒用户温度超标了。 整机功耗小，使用内置锂电池供电，电池寿命可达一年以上记录温度数据无法修改，能在食品、冷藏等方面出现问题时提供强有力的调查证据及索赔证据。 软件功能强大，数据查看方便：数据图表和列表可任意切换查看数据拼接功能强大，将文件保存为Access格式可将每次下载的数据添加到原来保存的文件中，以保证数据的完整性。?用随机附带的通讯电缆将记录仪与一般计算机（PC586以上即可）的串行口相连接。 在计算机上运行记录仪应用程序，设置好记录仪的记录启动时间、记录周期、停止时间、停止方式等参数。设定完成后脱开记录仪与计算机的连接，将记录仪置于需检测的场合。检测完毕后，再将记录仪与计算机连接，运行记录仪应用程序，将记录数据下载到计算机内进行数据处理。
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MAGX-SB1PPR
氮化镓HEMT晶体管功率100W峰值， 1.2 - 2.0 GHz的
[GaN HEMT Power Transistor 100W Peak, 1.2 - 2.0 GHz]
&&MAGX-SB1PPRPDF文件：
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氮化镓HEMT晶体管功率100W峰值， 1.2 - 2.0 GHz的[GaN HEMT Power Transistor 100W Peak, 1.2 - 2.0 GHz]
文件大小：&&833 KPDF页数：
&&6 页联系供应商：&& 品牌Logo:
&&&&MA-COM [ M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS, INC. ]
中文翻译版
MAGX-L00GaN HEMT Power Transistor100W Peak, 1.2 - 2.0 GHzFeatures???????GaN depletion mode HEMT microwave transistorCommon source configurationBroadband Class AB operationThermally enhanced Cu/Mo/Cu packageRoHS Compliant+50V Typical OperationProduction V119 Sept 11MTTF of 114 years(Channel Temperature & 200°C)ApplicationsGeneral purpose for pulsed or CW applications?Commercial Wireless Infrastructure- WCDMA, LTE, WIMAX?Civilian and Military Radar?Military and Commercial Communications?Public Radio?Industrial, Scientific and Medical?SATCOM?Instrumentation?DTVProduct DescriptionThe MAGX-L00 is a gold metalizedGallium Nitride (GaN) on Silicon Carbide RF powertransistor suitable for a variety of RF poweramplifier applications. Using state of the art waferfabrication processes, these high performancetransistors provide high gain, efficiency, bandwidth,ruggedness over multiple octave bandwidths fortoday’s demanding application needs. The MAGX-L00 is constructed using a thermallyenhanced Cu/Mo/Cu flanged ceramic packagewhich provides excellent thermal performance. Highbreakdown voltages allow for reliable and stableoperation in extreme mismatched load conditionsunparalleled with older semiconductor technologies.Typical CW RF PerformanceFreq.(MHz)12001400160018002000Pin(W Peak)Pout(W Peak)Gain(dB)14.814.815.114.814.8Id-Pk(A)4.04.64.94.44.5Eff(%)605253545344444120120130120120Ordering InformationMAGX-L00MAGX-SB1PPR1ADVANCED:Data Sheets contain information regarding a product M/A-COM TechnologySolutions is considering for development. Performance is based on target specifications, simu-lated results, and/or prototype measurements. Commitment to develop is not guaranteed.PRELIMINARY:Data Sheets contain information regarding a product M/A-COM TechnologySolutions has under development. Performance is based on engineering tests. Specifications aretypical. Mechanical outline has been fixed. Engineering samples and/or test data may be avail-able. Commitment to produce in volume is not guaranteed.100W GaN Power TransistorEvaluation BoardoNorth AmericaTel: 800.366.2266 / Fax: 978.366.2266oEuropeTel: 44. / Fax: 44.oAsia/PacificTel: 81.44.844.8296 / Fax: 81.44.844.8298Visit
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制造商：Bourns Inc.
RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：带卷 (TR)说明：RES ARRAY 10 OHM 10 RES 20SOIC
标准包装：1,500
类别：电阻器
家庭：电阻器网络，阵列
系列：4400P
包装：带卷 (TR)
电路类型：隔离
电阻 (Ω)：10
容差：±1 欧姆
电阻器数：10
引脚数：20
每元件功率：160mW
温度系数：±250ppm/°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：20-SOL
大小/尺寸：0.510" 长 x 0.295" 宽 （12.95mm x 7.50mm）
高度：0.114"（2.90mm）
工作温度：-55°C ~ 125°C
电话：086-1
地址：深圳市福田区彩田路金兰轩31E
电话：086-755-63770
地址：深圳市福田区华强北街道振兴路101号华匀大厦2栋505室(本公司为一般纳税人，可开17%增值税)