IGBT可代替超声波功率管型号吗

Transistor)是绝缘栅双极型晶体管的英文缩寫,是一种高压、大电流功率器件我们知道功率MOSFET是电压控制电流的器件,它在导通时有一个小的导通电阻R_(DS)(ON)(当V_(DSS)小于100V时,R_(DS)(ON)在0.02~1Ω之间;当V_(DSS)=500V时,R_(DS)(ON)为0.4~6Ω;当V_(DSS)=1000V時,R_(DS)(ON)为0.7~5.5Ω),但在大电流(几十安培)时由于管压降I_D×R_(DS)(ON)增大,则会产生较大的损耗及发热。双极型达林顿管在大电流时,其饱和管压降可做到3V左右,但要求较大的电流激励IGBT就是采用了这种两器件的优点设计成功率能达千瓦以上的高压、大电流功率器件。

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