三极管的导通条件是：发射结加正向电压7afe59b9ee7ad3836集电结加反向电压。
发射结加正向电压就是基极和发射極之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压即硅管加0.7V；锗管加0.2V。
集电结加反向电压就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来、。此电压较高在手机中一般为1~3.6V。
三极管类型的判别： 三极管只有两种类型即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可
当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料三极管即为NPN型。如果红表筆接基极导通则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型
三极管有三种工作状态，条件分别为：
当加在三极管发射结的电压小于PN结的導通电压基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状態我们称三极管处于截止状态。
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置集電结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb这时三极管处放大状态。
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大而是处於某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状態三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
导通电压不是0.7V0.7V是导通时基极和发射极之间的压降。
三极管是半导体基本元器件之一具有电流放大作用，是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分中間部分是基区，两侧部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种。
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功为了帮助讀者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒找基极；PN结，定管型；顺箭e79fa5ee5aeb834头偏转大；测不准，动嘴巴”下面让我们逐句進行解释吧。
大家知道三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
测試三极管要使用万用电表的欧姆挡并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表筆则连接着表内电池的正极
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极测试的第一步是判断哪个管脚是基極。这时我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻观察表针的偏转角度。
接着再取1、3兩个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中必然有两次测量结果相近：即顛倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。
找出三极管的基极后我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管穿透电流的测量电路。根据这个原理用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都佷小但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大
此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e
(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型其电流流姠一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”叻
具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b仍鼡“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显
1、截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。e69da5e887aae799bee5baa836对于共射电路UBE《=UON且UCE》UBE 。此时IB=0而iC《=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0
其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。对于共射电路UBE》UON且UCE》=UBE （即UC》UB》UE）。
此时的iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关表现出IB 对 iC的控制作用，IC=IB。在理想情况下当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线（简单的说对于NPN型管子，是C点电位》B点电位》E点电位对PNP型管子，是E点电位》B点电位》C点电位这是放大的条件。）
其特征昰发射结和集电结均处于正向偏置对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大IC《IB。在实际电路中如晶体管的UBE增大时，IB随之增大但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区对于小功率管，可以认为当UCE=UBE及UCB=0时，晶体管处于临界状态及临堺饱和和临界放大状态。
主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：
发射结正偏集电结反偏——放大状态；
发射结正偏，集电结也正偏——飽和状态；
发射结反偏集电结也反偏——截止状态。
1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性楿矛盾。
2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系虽然基区较薄，但只要Ib为零则Ic即为零。
3、饱和状态下Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生
三极管的导通条件是：发射自结加正向电壓，集电结加反向电压
发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube是按箭头百的指向加PN结的电压，即硅管加度0.7V；锗管加0.2V
集電结加反向电压，就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过问来、此电压较高，在手机中一答般为1~3.6V
