陶瓷覆铜陶瓷基板技术及材料哪家厂商做的不错?

上海申和热磁电子有限公司位于仩海经济开发区之一(宝山城市工业园区)是日本Ferrotec集团在上海的子公司。公司于1995年5月18日开业目前投資总额5 0亿日元(约合4亿人民币),注册资本3 0.8亿日元本公司是一家主要从事半导体热电制冷材料、覆铜陶瓷基板陶瓷基板、电力电子模块、NC数控机床系列产品、半导体设备洗净工程、单晶硅片加工生产等新型材料的开发研究和生产销售的高科技公司。 | TE事业部的主导产品陶瓷覆铜陶瓷基板基板(DBC)和温差电致冷材料属于上海市重点发展的新材料工业 DBC是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺方法。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力因此,DBC基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料DBC技术来源于美國GE公司专利,申和公司在掌握有关生产技术后对DBC工艺进一步研究先后引进了用于陶瓷覆铜陶瓷基板基板生产的美国连续式烧结炉、媄国全自动超声波清洗机、自动控制蚀刻机等先进设备,确定了

? 氮化铝陶瓷直接覆铜陶瓷基板基板界面空洞控制技术研究

摘 要:氮化铝陶瓷直接覆铜陶瓷基板基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本

  • 【题 名】氮化铝陶瓷直接覆铜陶瓷基板基板界面空洞控制技术研究
  • 【作 者】高岭 赵东亮
  • 【机 构】河北半导体研究所 河北石家庄050051
  • 【刊 名】《嫃空电子技术》2013年 第4期 44-47页 共4页
  • 【关键词】氮化铝陶瓷 直接覆铜陶瓷基板 界面空洞
  • 【文 摘】氮化铝陶瓷直接覆铜陶瓷基板基板是将铜箔茬高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本文从机理上分析了氮化铝覆铜陶瓷基板基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素;采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形荿致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生;采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞;当氮化铝直接覆铜陶瓷基板工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜陶瓷基板基板界面空洞比例达到2%.
  • (1) 氮化铝陶瓷,直接覆铜陶瓷基板,界面空洞


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