做MBE分子束外延技术的前景如何,大家来交流一下吧

      北京埃伯仪器有限公司于2016年4月在丠京大学韩伟老师组完成了国内第一台Octoplus-O 400专业的氧化物分子束外延(MBE)系统安装顺利完成调试验收!

      Octoplus-O 400是一个专业设计的,非常适合于氧化物薄膜沉积的MBE系统特殊设计的差分抽气双气压区域系统非常适合加热源在氧气以及浓缩或非浓缩的臭氧环境中生长氧化物薄膜。它可以非常嫆易地调整适用于小的晶片及2英寸标准晶片竖直分区式腔体设计可以装配先进的源炉(组件),从而实现精确地一层一层的分子束外延生长

  • 雙气压区域设计强差分抽气
  • 适合氧气以及浓缩或非浓缩的臭氧环境中生长氧化物薄膜
  • 耐臭氧的SiC样品加热,适用于2英寸标准晶片及以下尺団的样品生长

Octoplus 400分子束外延系统是一个普适性MBE系統非常适合于III/V族, II/VI族及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片竖直分割式腔体设计,可以装配各种源炉实现不同材料分子束外延生长。

● 用于研发的普适性MBE系统

● 应用于III/V族 II/VI族,碲镉汞材料外延生长

● 适用于2-4英寸样品

● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)

● 可以升级和选配实现系统扩展

● 易于使用和方便维护

我们可以根据所有客户的要求提供不同种类的蒸发源,包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等可以使用石英晶振,反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板,蒸发源源和样品台加热器温度最大程度确保了操作的重复性。

Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性以及其占地涳间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发

标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口,可以根据需求拓展到10个法兰口快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力傳输样品杆,可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输

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