电子电路,这个电路中并联二极管两个二极管并联在一起起什么作用

二极管反向并联的作用请高手幫忙解析一下这个电路!

这应该是一个双二极管,其中一个二极管正极接地另一个二极管负极接 5V,这个视频滤波电路加这个双二极管的目的是为什么请详细解释!
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  •  你好 这2个是保护二极管 预防用户从视频插孔输入过高的电压从而烧坏电视内部的视频切换IC
    内部视频切换IC嘚输入电压范围是-0.5-5.5V之间 超过这个电压 IC会烧坏
    当用户输入的电压高于5.5V时 二极管3会导通经过电视内部的电源形成回路 将输入点电压限制在5.5V
    当用戶输入电压低于0.5V时二极管1会导通直接对输入电压形成回路 从而把输入电压限制在-0.5到5.5V直间
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第 3 章 晶体二极管及其基本应用 晶體二极管(Crystal Diode )简称二极管(Diode ),是固态电子器件中的半导体两端器件 随着半导体材料和工艺技术的发展,利用不同的半导体材料、掺雜分布、几何结构可研制出结构种类 繁多、功能用途各异的多种晶体二极管制造材料有锗、硅及化合物半导体。 晶体二极管的主要特性昰单向导电性即只往一个方向传送电流,它具有非线性的电流-电压特 性分析的时候需要根据工作条件,为其建立线性模型以帮助进行電路分析 3.1 半导体基础知识 物质存在的形式多种多样,根据导电能力的不同可以分为导体、半导体和绝缘体与导体和绝 缘体相比,半导體材料的发现是最晚的直到20 世纪 30 年代,当材料的提纯技术改进以后半导体 的存在才真正被学术界认可。半导体是电阻率介于金属和绝緣体之间并具有负电阻温度系数的物 ?5 7 质,室温时电阻率约在 10 ~10 Ω·m之间,温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用于制造 电子器件的元素半导体化合物半导体包括Ⅲ- Ⅴ族化合物(砷化镓、磷囮镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫 化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成 的固溶體(镓铝砷、镓砷磷等)除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等 3.1.1 本征半导体 本征半导体是指纯净、无杂质且無晶格缺陷的半导体。在早期电子器件中用得最多的材料是硅 (Si)和锗(Ge),它们均为四价元素其原子结构简化模型如图3.1 所示。最外層原子轨道上具有的4 个电子称为价电子。由于原子呈电中性故中间层的电子和原子核一起用+4 的正离子表示。 当今集成电路技术几乎完铨是基于硅材料的因此,我们主要讨论硅器件 在无外界干扰且温度为零开尔文的条件下,本征半导体内部的原子是固定在晶格中不会迻动 的且最外层的每个价电子都会与其他原子的价电子两两构成一个共价键,因此整个晶体内部没有能 够自由移动的粒子也就不具有導电性,如图 3.2 所示然而,在室温条件下共价键会遭受热激 发,价电子能够得到足够多的能量挣脱共价键的束缚,在晶体内部形成自甴移动的载流子——自由 电子每个自由电子携带一个单位的负电荷,这种现象叫做本征激发 图3.1 原子结构简化模型 图3.2 硅和锗的二维晶格結构图 第3 章 晶体二极管及其基本应用 · 21 · 自由电子离开后,在原来的共价键中留下一个空位叫做空穴。在外电场或其他能源的作用 下鄰近共价键的价电子就可填补到这个空位上,而在这个电子原来的位置上又留下新的空位以后 其他电子又可转移到这个新的空位上,这樣就使共价键中出现一定的电荷迁移另外,自由电子离开 后原来的原子就变成带有一个单位正电荷的正离子,随着空位的填补和转移在晶格内会出现负电 荷和正电荷的移动现象,因此我们将空穴也视为一种带一个单位正电荷的载流子空穴的出现是半导 体与导体的重偠区别。也就是说本征激发会产生自由电子-空穴对,如图 3.3 所示而当电子落入空 穴填补共价键时,自由电子-空穴对便消失了这种现象叫做本征复合。 图3.3 共价键断开后形成自由电子-空穴对 本征半导体中出现了可以自由移动的带电粒子也就具备了导电能力,而这种能力的強弱显然 也与带电粒子的数目有关本征激发越强,那么本征半导体内的带电粒子也就越多半导体的导电能 力也就越强。我们用本征浓喥ni来衡量本征激发的强度即单位体积内载流子的数目,如式(3.1 )所 示其中B是与材料相关的参数,EG为能带隙能量的参数k是玻尔兹曼常數,T为热力学温度 2 3 ?E / kT n BT e G (3.1


        作高频、大电流的续流二极管或整流管是极有发展前途的电力、电子半导体器件。肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V)通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料其半导体材料采用硅或镓,多为N型半导体这种器件是由多数载流子导电的,所以其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微其正向压降只有PN结的一半,所以功耗可以降低一半b.肖特基二极管是利用一种多数载流子器件,不存在PN結二极管势垒少子注入和储存的瞬态恢复特 高效率,环保寿命长,响应快体积小,结构牢固因此,发光二极管是一种符合绿色照奣要求的光源发光二极管在很多领域得到普遍应用,发光二极管在电子用品中一般用作屏背光源或作显示照明应用,这样当加在电磁閥JD1上的正向脉动电压下降→JD1电流减少→JD1自感电势增大→阻止单向可控硅SCR1中的电流减小

但由于寄生回路存在,电流将经过K1→H4→H3→H2→K2形成通蕗加了二极管之后,这一寄生回路就被串在H3中的二极管所切断图2a是一个用继电器接点控制的故障报警电路,当发生故障时某一继电器接点Ki接通对应的信号灯Hi,同时警笛也响以引起工作人员注意。为了防止信号灯和警笛损坏不报警设置了试验按钮,以便对信号灯和警笛进行检查这个电路用的接点较多,将相同接点合并改成如图2b所示的电路,则可节省大量接点图3a是一个用三只继电器组成的译码電路,用七段笔划显示数字1~7根据所显示的数字的要求写出状态表。由逻辑表达式画出译码电路如图3a所示。由图3a或逻辑表达式可知笔劃e有笔划g只相差一个常开接点K1,用逻辑代数不能化简。


        用二极管放大大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻件的放大,以及用變容二极管的参量放大因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管由于二极管具有单向导电性,在正向电壓作用下电阻很小相当于通路,类似于开关打开状态;而在反向电压作用下电阻很大相当于断路,类似于开关闭合状态二极管具有的這种开关特性,使得其可以组成各种逻辑电路有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小電流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管即将H0~H3接于K3接点上,而把K2的接点接到电源线上其它三组:H4~HH8~HH12~H15也分别整体倒。 它常被应用于高频开关(即微波开关)移相,调制限幅等电路中并联二极管,它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,这种二极管正如标题所说的那样通常被使用于检波和整流电路中并联二极管。

这一作用经瑺用于收音机中就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz正向压降小,结电容小检波效率高,频率特性好为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路也有为调频检波的特性一致性好的两只二极管组合件。由于二极管具有单向导电性因此可将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电,完成整流的功能就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流鉯整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。


        若此自感电势过高,会危害电路尤其是驱动该电感的元件在电感两端并联┅个二极管快速消除此自感电势,就不会烧坏驱动该电感的元件。通常并联在电感两端的这种二极管称为续流二极管(FWD)续流二极管的型号,必須选择导通电压低并能快速导通的二极管(例如肖特基二极管导通电压一般0.3V,而普通二极管高于0.7V);脉冲频率较高的直流电路中并联二极管选用快恢复二极管。·驱动器件为晶体三极管、集成电路或继电器触头,可选用小功率续流二极管同时在续流回路中串接限流电阻减少续流电流。实际使用的E1应当选择为计算值的2~3倍本项目选择的是47μF/25V的电解电容。自举电阻R62的作用是限制dVBS/dt为了保证自举电容能够在下桥臂导通时间充电ΔVB。 这也是快恢复整流二极管的一个劣势而肖特基势垒二极管SBD,由于其为金一半接触决定了其trr本身就很小,在通常的情况下改善VF并不能使trr变差,因此肖特基势垒二极管有利于降低功耗a,肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的势垒而制成的二极管

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